Дорожная карта Intel в области компоновки и техпроцессам до 2025 года и далее


Компания Intel не всегда четко придерживается собственных производственных графиков для новых процессов, в частности, ее 10-нм процесс страдает от многолетних задержек.

Но на днях американская компания провела мероприятие, на котором была представлена ​​дорожная карта техпроцессов на период до 2025 года и далее, который включает в себя 7 нм, 4 нм, 3 нм и даже переключение шкалы Ангстрема (1A = 0,1 нм) с процессом 20A, ожидаемым в 2024/2025 гг.

Дорожная карта процессов Intel до 2025 года и далее

Исторические и будущие технологические процессы от Intel

Что касается узлов процесса, то вот чего стоит ожидать в следующие несколько лет:

  • Intel 7 обеспечивает повышение производительности на ватт на 10-15% и будет представлен в продуктах Alder Lake для клиента в 2021 году и Sapphire Rapids для центра обработки данных, причем последний, как ожидается, будет запущен в производство в первом квартале 2022 года.
  • Intel 4 обещает увеличение производительности на ватт на 20% по сравнению с Intel 7 и является первым узлом Intel FinFET, использующим литографию в глубоком ультрафиолете (EUV), которая включает «очень сложную оптическую систему линз и зеркал, фокусирующую длину волны 13,5 нм для печати невероятно мелких деталей на кремнии». Intel 4 будет готов к производству во втором полугодии 2022 года, а продукты будут отгружены в 2023 году, включая Meteor Lake для клиента и Granite Rapids для центра обработки данных.
  • Ожидается, что Intel 3 обеспечит увеличение производительности на ватт на 18% по сравнению с Intel 4 и компания будет готова начать производство продукции на основе данного технологического узла во втором полугодии 2023 года. Intel еще не объявила, какие семейства процессоров получат выгоду от нового технологического узла.
  • Intel 20A ожидается в 2024 году с технологиями RibbonFET и PowerVia.  RibbonFET — это транзистор с универсальным затвором, обеспечивающий более высокую
    скорость переключения транзисторов, при этом обеспечивая более высокую скорость переключения при меньшей занимаемой площади по сравнению с FinFET благодаря структуре с несколькими наноканалами. PowerVia — это реализация подачи питания на обратной стороне кремниевого кристалла, устраняющая необходимость в маршрутизации питания на передней стороне пластины.
  • Intel 18A уже находится в разработке с усовершенствованиями RibbonFET, которые обеспечат еще один «серьезный скачок» в производительности транзисторов в 2025 году.

Обратите внимание, что здесь, похоже, была задействована маркетинговая группа, поскольку Intel 7 раньше назывался «10-нм Enhanced SuperFin», а Intel 4 раньше назывался «Intel 7-нм» технологическим узлом. Мы полагаем, это зависит от того, как вы его измеряете, и в прошлом Intel объяснила, что у конкурентов есть другой способ измерения размера транзистора.

Инновации в корпусе Intel

Intel также рассказала об инновационных корпусах, таких как существующая технология стекирования Foveros 3D, которую можно найти в процессорах Lakefield, готовых к выпуску:

  • EMIB (встроенный мост межсоединений с несколькими кристаллами) в Intel Xeon Sapphire Rapids для центров обработки данных. Следующее поколение EMIB перейдет с шага выступа 55 микрон на 45 микрон.
  • Foveros не совсем такой, как мы только что отметили, но второе поколение технологии трехмерного стекирования будет использоваться в клиентских продуктах Meteor Lake и отличается шагом выступа 36 микрон, плитками, охватывающими несколько технологических узлов, и диапазоном расчетной тепловой мощности от От 5 Вт до 125 Вт.
  • Foveros Omni основывается на технологии Foveros, позволяющей соединять кристаллы между собой сразу в нескольких слоях проводников. Массовое производство процессоров на базе Foveros Omni должно начаться в 2023 году.
  • Foveros Direct будет бесплатным для Foveros Omni и будет готов примерно в то же время. Он основан на прямом соединении медь-медь для межкристальных соединений с низким сопротивлением и обеспечивает шаг не более 10 микрон, обеспечивая увеличение на порядок плотности межсоединений для трехмерного стека.

Более подробную информацию можно найти на веб-сайте Intel , а также на сайте Anandtech, на котором представлено сравнение новых процессоров Intel с процессами TSMC, Samsung или даже IBM и т. д.

Выражаем свою благодарность источнику с которого взята и переведена статья, сайту cnx-software.com.

Оригинал статьи вы можете прочитать здесь 

0 0 vote
Article Rating
Подписаться
Уведомление о
guest

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.

0 Комментарий
Inline Feedbacks
View all comments