Intel: Мой 10nm техпроцесс плотнее чем ваш

Технологический процесс это важный процесс нижнего узла, для получения более эффективного процессора, что приводит либо к меньшему энергопотреблению при тех же задачах, либо приводит к более высоким частотам извлекающим большую производительность. Qualcomm и Samsung недавно объявили о SoC Snapdragon 835 изготовленный при помощи технологического процесса 10nm, но Марк Бор (Mark Bohr), старший научный сотрудник Intel и директор по технологической архитектуре, и интеграции корпорации Intel. пояснил в своем блоге, что хотя в прошлом техпроцесс узла, размер и плотность, прогрессировали “линейно”, это не значит что так будет и дальше, поскольку маркетинг изменился и некоторые компании продвигают имена узлов, даже в тех случаях, когда увеличение плотности минимально или отсутствует.

Из приведенной выше диаграммы следует, что некоторые компании используют 10nm техпроцесс, который немного лучше чем техпроцесс Intel 14 nm, 10nm техпроцесс Intel способен интегрировать почти в два раза больше транзисторов на квадратный миллиметр по сравнению с 10nm техпроцессом конкурентов.

Также Марк отмечает, что необходимы метрики и производители должны указывать плотность логических транзисторов в единицах MTr/mm2 (миллион транзисторов на квадратный миллиметр), используя следующую формулу комбинирующую в себе NAND и Scan Flip Flop (SFF) областей.

Он также объясняет, что размер ячейки SRAM следует указывать отдельно, поскольку в разных чипах имеется большое разнообразие соотношений SRAM-к-логике.

Выражаем свою благодарность источнику с которого взята и переведена статья, сайту cnx-software.com.

Оригинал статьи вы можете прочитать здесь.

0 0 vote
Article Rating
Подписаться
Уведомление о
guest

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.

0 Комментарий
Inline Feedbacks
View all comments