Мы часто читаем, что новые процессоры производятся по технологии FinFET. Новый процесс был создан из-за эффектов короткого канала в традиционных планарных транзисторах, и FinFET (полевой транзистор «плавникового» типа), обеспечивает дальнейшее масштабирование напряжения, но с уменьшением узла процесса, электростатические эффекты начали вызывать проблемы. Решением было найдено – нанопроволоки GAA (Gate All Around), ограничивающие эти эффекты. Но их, по-видимому, довольно трудно интегрировать в кремний. Поэтому компания Samsung использовала тонкие слои (нанолистики) вместо нанопроводов, обеспечивающих больший ток на дорожку в их реализации GAA, так называемый MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor).
В то время как FinFET начинает сталкиваться с ограничениями в 4-5 нм, MBCFET позволит производить чипы с использованием 3 нм процесса. Разработчики кремния могут начать работу прямо сейчас, поскольку Samsung Foundry недавно объявила о выпуске 3GAE PDK (Process Design) версии 0.1.
По сравнению с 7-нм технологией FinFET процесс 3GAE/MBCFET от Samsung должен обеспечить сокращение площади микросхем до 45% при снижении энергопотребления на 50% или повышении производительности на 35%. Этот узел процесса будет найден в процессорах более высокого класса для мобильных, сетевых, автомобильных приложений, приложений искусственного интеллекта (IIO) и IoT.
Что не мало важно, MBCFET совместим с большинством процессов FinFET в том смысле, что оба могут использовать одни и те же производственные технологии и оборудование, что приводит к более быстрому выходу на рынок и снижению затрат.
Тем не менее, компания Samsung все еще работает над процессами FinFET, поскольку план компании включает в себя четыре процесса на основе FinFET от 7 нм до 4 нм, благодаря технологии нанолитографии (EUV), а также 3 нм GAA/MBCFET. Массовое производство 6-нм технологических устройств начнется во второй половине этого года, в течение которого компания также намерена завершить разработку своего 4-нм технологического процесса. Массовое производство 5-нм процесс FinFET компания Samsung начнет в первом полугодии 2020 года.
Сравнение FinFET с MBCFET
В пресс-релизе нет сроков массового производства MBCFET, но Anandtech сообщает, что «Samsung ожидает, что процесс 3GAE будет предложен первым клиентам в 2020 году, с началом производства в конце 2020 года и массовым производством в конце 2021 года». Вы найдете еще несколько деталей в инфографике, и кажется, что, хотя NBCFET только усовершенствован или сейчас обретает смысл, это не новая идея, поскольку исследователи Samsung опубликовали статью еще в 2003 году.
Выражаем свою благодарность источнику из которого взята и переведена статья, сайту cnx-software.com.
Оригинал статьи вы можете прочитать здесь.