Samsung запустил массовое производство первой промышленной оперативной памяти, модуль 128-Гигабайт DDR4 для корпоративных серверов


Компания Samsung Electronics объявила о запуске массового производства первого промышленного модуля оперативной памяти с технологией “through silicon via” (TSV), удвоенная скорость передачи данных-4 (double data rate-4, DDR4), с объемом памяти в 128 гигабайт (Гб), для корпоративных серверов и центров обработки данных. 

semi_Main

Вслед за введением первого в мире 3D TSV DDR4 DRAM (64 Гб) в 2014 году, компания Samsung зарегистрировала новый TSV, двойной встроенный модуль памяти (RDIMM) который знаменует собой еще один прорыв, который открывает дверь для ультра-высокой емкости памяти на корпоративном уровне. Новый TSV DRAM модуль Samsung может похвастаться самой большой емкостью и высочайшей энергетической эффективностью по сравнению с любым современным модулем DRAM, во время работы на высокой скорости демонстрирует превосходную надежность.

“Мы рады тому, что объем производства нашего высоко-скоростного, низко-энергетического модуля оперативной памяти TSV, объемом 128 Гб, позволит нашим глобальным клиентам и партнерам создавать новое поколение корпоративных решений и резко повысит эффективность и масштабируемость для их инвестиций”, — говорит Joo Sun Choi, исполнительный вице-президент, по продажам оперативной памяти и маркетингу Samsung Electronics. “Мы будем продолжать расширять наше техническое сотрудничество с мировыми лидерами в производстве серверов, бытовой электроники и развивающихся рынках, где потребители могут получить выгоду от инновационных технологий, что повышает их продуктивность.”

128-гигабайтный модуль памяти DDR4 с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) и двухрядным расположением выводов (RDIMM) состоит из 144 чипов DDR4, объединённых в 36 блоков по 4 Гб, в каждом из которых находятся четыре 8-гигабайтных чипа класса 20 нм.

Кроме того, основной чип каждого пакета 4 Гб выполняет функцию буфера данных, что позволяет оптимизировать производительность и энергопотребление. Технология упаковки чипов TSV позволяет вертикально соединить кристаллы DDR4, имеющие толщину в несколько десятков микронов, с помощью электродов через несколько сотен отверстий.

Как результат, мы получаем низко-энергетический, расширенный модуль памяти 128Гб TSV DDR4 RDIMM от Samsung для серверов следующего поколения со скоростью до 2400 мегабит в секунду (Mbps), достигая производительности почти в два раза выше и сокращая потребление энергии на 50 процентов, по сравнению с предыдущим модулем высокой емкости DRAM ─ 64Гб LRDIMM.

Samsung отвечая на растущий спрос на память ультра-высокой емкости, быстро наращивает производство 20nm 8 Гб чипов памяти DRAM для повышения производительности.

Кроме того, Samsung продолжает сохранять свое технологическое лидерство путем введения TSV DRAM с большей производительностью. Они будут включать в себя модули со скоростью передачи данных до 2,667Mbps и 3,200Mbps, которые помогают удовлетворить усиливающиеся потребности корпоративных серверов.

Выражаем свою благодарность источнику с которого взята и переведена статья, сайту news.samsung.com.

Оригинал статьи вы можете прочитать здесь.

Комментарии:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.