Хранилище Samsung UFS 4.0 обеспечивает скорость чтения до 4200 МБ/с, емкость 1 ТБ


Samsung Electronics представила свое первое решение Universal Flash Storage (UFS) 4.0, основанное на V-NAND 7-го поколения компании и собственном контроллере, обеспечивающем скорость до 23,2 гигабит в секунду (Гбит/с) на линию, что вдвое превышает предыдущие решения UFS 3.1.

С практической точки зрения, хранилище Samsung UFS 4.0 будет обеспечивать скорость последовательного чтения до 4200 МБ/с и скорость последовательной записи 2800 МБ/с, что примерно в 2 и 1,6 раза выше, чем у хранилища UFS 3.1.

Samsung также утверждает, что эффективность энергопотребления была повышена благодаря скорости последовательного чтения до 6,0 МБ/с на миллиампер (мА), что примерно на 46% больше по сравнению с UFS 3.1. Усовершенствованный блок памяти с защитой от воспроизведения (RPMB) встроен в чип для хранения важных личных данных, которые могут быть прочитаны или записаны только через аутентифицированный доступ, и конструкция которого считается в 1,8 раза более эффективной.

Хранилище Samsung UFS 4.0 будет предлагаться в корпусе 13 x 11 x 1 мм и использоваться в смартфонах 5G, а также в автомобильных приложениях и приложениях AR/VR. Ожидается, что массовое производство начнется в третьем квартале 2022 года и будет продаваться с различной емкостью до 1 ТБ. Подробнее можно узнать в объявлении. Мы также собирались перенаправить читателей на веб- сайт JEDEC для ознакомления со спецификацией UFS 4.0, но, похоже, она на днях уже была опубликована.

Выражаем свою благодарность источнику из которого взята и переведена статья, сайту cnx-software.com.

Оригинал статьи вы можете прочитать здесь.

5 1 vote
Article Rating
Подписаться
Уведомление о
guest

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.

0 Комментарий
Inline Feedbacks
View all comments