Чипы встраиваемой флеш-памяти Samsung eMMC и UFS 2.0, и показатели производительности в 2016 году


Samsung не всегда регулярно обновляет свой веб-сайт, когда представляет собственные чипы встраиваемой флеш-памяти и показатели производительности, такие значения как скорость последовательного чтения/записи и случайного чтения/записи, отображаются не на всех устройствах. Скорость последовательного чтения особенно важна для хранилища данных, в то время как скорость случайного чтения будет важна для работы операционных систем и приложений, которые основываются на большом количестве коротких операций чтения/записи. Таблица с последними показателями производительности встраиваемой флеш-памяти Samsung  eMMC 5.0/5.1 и UFS 2.0.

samsung-emmc-ufs-flash-portofolio-2016
Нажмите, чтобы увеличить

Компания предоставляет чипы eMMC 5.0/5.1 с объемом памяти от 4 до 16 Гб  с производительностью до 285/40 R/W Мб/с и 8K/10K R/W IOPS и чипы с объемом памяти от 32 и 128 ГБ  с производительностью до 310/140 Мб/с и 14K IOPS. Чипы UFS 2.0 с объемом памяти  от 16 ГБ  до 256 ГБ, скорость последовательного чтения/записи будет достигать до 850/260 Мб/с и 50K/30K IOPS, все устройства с чипами памяти UFS 2.0 будут работать быстрее, чем любой из семейства eMMC (в теории ограниченны до 400 Мб/с). Высокая производительность будет у чипа памяти KLUEG8U1EM-B0B10 UFS 2.0, так как скорость последовательного чтения на уровне с многими SSD-накопителями 256 Гб SATA-3, а вот скорость последовательной записи будет немного медленнее. Значения IOPS обозначают что загрузка будет быстрой (меньше, чем за 10 секунд), а общее быстродействие системы отличным.

Выражаем свою благодарность источнику с которого взята и переведена статья, сайту cnx-software.com.

Оригинал статьи вы можете прочитать здесь.

Комментарии:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.