Флагманские смартфоны следующего года могут стать первыми устройствами, оснащенными памятью LPDDR5 с поддержкой скорости передачи данных до 9,6 ТБ/с, или 9600 МТ/с.
Micron и SK Hynix объявили, что их решения памяти следующего поколения предназначены для работы в устройствах на базе нового процессора Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3.
Решение SKY Hynix рассчитано на память LPDDR5T-9600, что означает «Low Power Double Data Speed 5 Turbo», а версия Micron — LPDDR5X-9600, хотя технически стандарт LPDDR5X на данный момент достигает максимальной скорости 8533 Мбит/с.
Но хотя обе компании используют разные названия, обе обещают увеличение скорости на 12% по сравнению с памятью LPDRR5X-8533.
SK Hynix утверждает, что достигает этого, поддерживая диапазон напряжения от 1,01 В до 1,12 В. Как отмечает Anandtech, это максимальное напряжение немного выше, чем 1,1 В, поддерживаемое стандартной спецификацией LPDDR5x, что может помочь объяснить, почему SK Hynix использует другое название для своей памяти.
Micron на самом деле не объясняет, как она ускорила свою память, за исключением того, что она «построена на ведущем в отрасли узле первого бета-процесса Micron, LPDDR5X обеспечивает повышение энергопотребления почти на 30%», но это по сравнению с другими чипами LPDDR5X от других производителей компании, а не собственные продукты Micron.
Пока нет информации о том, когда появятся первые устройства с памятью LPDDR5-9600, но тот факт, что обе компании особо отмечают, что их новая память совместима с новым чипом Qualcomm для флагманских смартфонов, убедительно указывает на то, что мы могли бы увидеть эти решения в некоторых смартфонах флагманского класса 2024 года.
Выражаем свою благодарность источнику из которого взята и переведена статья, сайту liliputing.com
Оригинал статьи вы можете прочитать здесь.